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参数资料
| 型号： | ECH8420-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 14A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.8 毫欧 @ 7A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2430pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Ordering number : EN8993A
ECH8420
N-Channel Power MOSFET
20V, 14A, 6.8m Ω , Single ECH8
Features
http://onsemi.com
?
?
?
?
ON-resistance RDS(on)1=5.2m Ω (typ.)
1.8V drive.
Halogen free compliance.
Protection diode in
Speci ? cations
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C
Parameter
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Drain Current (DC)
Symbol
VDSS
VGSS
ID
Conditions
Ratings
20
±12
14
Unit
V
V
A
Drain Current (Pulse)
Allowable Power Dissipation
Channel Temperature
Storage Temperature
IDP
PD
Tch
Tstg
PW ≤ 10 μ s, duty cycle ≤ 1%
When mounted on ceramic substrate (900mm 2 × 0.8mm)
50
1.6
150
--55 to +150
A
W
°C
°C
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating
Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7011A-002
Top View
ECH8420-TL-H
Product & Package Information
? Package : ECH8
? JEITA, JEDEC : -
? Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel
1
8
0.65
2.9
5
4
0.3
0.15
0 to 0.02
Packing Type : TL
TL
Electrical Connection
Marking
ZA
Lot No.
8
7
6
5
1 : Source
2 : Source
3 : Source
4 : Gate
5 : Drain
6 : Drain
7 : Drain
8 : Drain
Bottom View
ECH8
1
2
3
4
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
July, 2013
71112 TKIM/O1911PE TKIM TC-00002660 No.8993-1/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECH8601M-TL-H | MOSFET N-CH 24V 8A ECH8 |
| ECH8602M-TL-H | MOSFET N-CH 30V 6A ECH8 |
| ECH8649-TL-H | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A ECH8 |
| ECH8651R-TL-HX | MOSFET N-CH DUAL 24V 10A ECH8 |
| ECH8651R-TL-H | MOSFET N-CH DUAL 24V 10A ECH8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ECH8501 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Gate Drive Applications |
| ECH8501-TL-H | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP+NPN 5A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| ECH8502 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Gate Drive Applications |
| ECH8502-TL-H | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP+NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| ECH8503 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Motor Drive Applications |
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