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参数资料
| 型号： | ECH8420-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 14A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.8 毫欧 @ 7A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2430pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8420
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0V
VDS=20V, VGS=0V
VGS=±8V, VDS=0V
20
1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
RDS(on)1
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=7A
ID=7A, VGS=4.5V
0.4
14.5
5.2
1.3
6.8
V
S
m Ω
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=4A, VGS=2.5V
ID=2A, VGS=1.8V
VDS=10V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=14A
IS=14A, VGS=0V
8
15
2430
410
330
21
88
210
115
29
4.8
8.7
0.75
11.5
22.5
1.2
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
4.5V
0V
VIN
VIN
VDD=10V
ID=7A
RL=1.43 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
D
VOUT
G
ECH8420
P.G
50 Ω
S
Ordering Information
Device
ECH8420-TL-H
Package
ECH8
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free and Halogen Free
No.8993-2/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| ECH8501 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Gate Drive Applications |
| ECH8501-TL-H | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP+NPN 5A 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| ECH8502 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Gate Drive Applications |
| ECH8502-TL-H | 功能描述:两极晶体管 - BJT BIP PNP+NPN 5A 50V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶体管极性:PNP 集电极—基极电压 VCBO: 集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V 发射极 - 基极电压 VEBO:- 6 V 集电极—射极饱和电压: 最大直流电集电极电流: 增益带宽产品fT: 直流集电极/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作温度: 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerFLAT 2 x 2 |
| ECH8503 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Motor Drive Applications |
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