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参数资料
| 型号： | ECH8420-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 14A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 14A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6.8 毫欧 @ 7A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 29nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2430pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.6W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8420
14
12
ID -- VDS
21
20 VDS=10V
19
18
ID -- VGS
17
16
10
8
6
15
14
13
12
11
10
9
8
7
4
2
VGS=1.5V
6
5
4
3
2
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
40
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT16625
Ta=25°C
25
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT16531
35
ID=2A
4A
20
1.8V, D
30
25
7A
15
VG S=
I =2
A
20
I =4
2.5V, D
VG S=
4.5V, I D
15
10
5
10
5
V GS=
A
=7A
0
0
2
4
6
8
10
12
0
--50
0
50
100
150
200
25 °
5 °
=-
Ta ° C
100
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
C
C
-2
75
IT16532
VDS=10V
100
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
7
5
3
2
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT16533
VGS=0V
0.1
0.01
2 3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
2 3
5 7 100
0.001
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1000
7
5
3
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
IT16534
VDD=15V
VGS=10V
10000
7
5
3
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss
IT16535
f=1MHz
2
2
100
7
tf
1000
7
5
3
2
tr
td(on)
5
3
2
Coss
Crss
10
0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5 7 100
100
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Drain Current, ID -- A
IT16536
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT16537
No.8993-3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| ECH8502 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP/NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors Gate Drive Applications |
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| ECH8503 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor Motor Drive Applications |
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