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参数资料
| 型号： | ECH8651R-TL-HX |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 24V 10A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8651R
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0V
VDS=20V, VGS=0V
VGS=±8V, VDS=0V
24
1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=5A
0.5
5.5
9.5
1.3
V
S
RDS(on)1
ID=5A, VGS=4.5V
7
10.5
14
m Ω
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)2
RDS(on)3
RDS(on)4
ID=5A, VGS=4.0V
ID=5A, VGS=3.1V
ID=2.5A, VGS=2.5V
7.2
7.5
9
11
12.5
15
15
17.5
21
m Ω
m Ω
m Ω
Turn-ON Delay Time
td(on)
300
ns
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=10V, VGS=10V, ID=10A
1000
4000
2500
24
2
4.5
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=10A, VGS=0V
0.77
1.2
V
Switching Time Test Circuit
4.5V
0V
VIN
VIN
VDD=10V
ID=5A
RL=2 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
P.G
G
50 Ω
Rg
D
S
VOUT
ECH8651R
Rg=1k Ω
Ordering Information
Device
ECH8651R-TL-H
Package
ECH8
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free and Halogen Free
No. A1010-2/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| ECH8653 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
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