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参数资料
| 型号： | ECH8651R-TL-HX |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 24V 10A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 24V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 24nC @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.4W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8651R
1.8
1.6
1.5
1.4
1.2
PD -- Ta
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 ? 0.8mm)
To
al
ni
1.0
0.8
t
1u
Di
t
ss
ip
a i t
on
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT13154
No. A1010-4/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECH8651R-TL-H | MOSFET N-CH DUAL 24V 10A ECH8 |
| ECH8652-TL-H | MOSFET P-CH 12V 6A ECH8 |
| ECH8653-TL-H | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A ECH8 |
| ECH8655R-TL-H | MOSFET N-CH DUAL 24V 9A ECH8 |
| ECH8656-TL-H | MOSFET N-CH 20V 7.5A ECH8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ECH8652 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8652_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8652-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ECH8653 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8653_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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