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参数资料
| 型号： | ECH8653-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 4A，8V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18.5nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1280pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8653
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0V
VDS=20V, VGS=0V
VGS=±8V, VDS=0V
20
1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=4A
1.0
3.4
5.8
2.4
V
S
Static Drain-to-Source On-State Resistance
RDS(on)1
RDS(on)2
ID=4A, VGS=8V
ID=4A, VGS=4V
9
11
14
18
20
25
m Ω
m Ω
Input Capacitance
Ciss
1280
pF
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VDS=10V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=10V, VGS=8V, ID=7.5A
170
105
13
48
94
36
18.5
2.7
3.1
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
Diode Forward Voltage
VSD
IS=7.5A, VGS=0V
0.82
1.2
V
Switching Time Test Circuit
8V
0V
VIN
VIN
VDD=10V
ID=4A
RL=2.5 Ω
PW=10 μ s
D
VOUT
D.C. ≤ 1%
G
ECH8653
P.G
50 Ω
S
Ordering Information
Device
ECH8653-TL-H
Package
ECH8
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free and Halogen Free
No. A0851-2/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| ECH8655R | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8655R_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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