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参数资料
| 型号： | ECH8653-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 20V 7.5A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 20 毫欧 @ 4A，8V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 18.5nC @ 8V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1280pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8653
7.5
7.0
6.5
ID -- VDS
2.5
V
10
9
VDS=10V
ID -- VGS
6.0
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
8
7
6
5
4
3
1.5
1.0
0.5
0
VGS=2.0V
2
1
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
80
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT12471
Ta=25 ° C
40
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT12472
70
60
50
ID=4A
30
I =4
=4V, D
=4A
V GS=
40
30
20
10
0
20
10
0
VGS
A
8V, I D
0
2
4
6
8
10
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
10
7
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
| y fs | -- ID
VDS=10V
IT12473
10
7
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT12474
VGS=0V
5
3
3
2
5 °
° C
2
1.0
Ta
=
--2
C
75
1.0
7
5
3
7
25
°
C
2
5
3
2
0.1
0.1
7
5
3
2
0.01
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1000
7
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT12475
VDD=10V
3
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT12476
f=1MHz
5
3
2
100
7
td(off)
VGS=8V
2
1000
7
Ciss
5
3
2
tf
td(on)
5
3
10
2
C os s
7
5
3
2
1.0
tr
100
7
5
Crss
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
Drain Current, ID -- A
IT12477
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT12478
No. A0851-3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| ECH8655R | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
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