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参数资料
| 型号： | ECH8660-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V 4.5A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 59 毫欧 @ 2A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 240pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8660
Ordering Information
Device
ECH8660-TL-H
Package
ECH8
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb-Free and Halogen Free
4.0
ID -- VDS
[Nch]
6
ID -- VGS
[Nch]
VDS=10V
3.5
3.0
2.5
5
4
2.0
1.5
1.0
0.5
3.5V
VGS=3.0V
3
2
1
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0
1
2
3
4
5
240
200
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
ID=1A
2A
IT14210
[Nch]
Ta=25°C
200
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT14211
[Nch]
, I D=
=4.0V
=1A
=4.5
160
120
120
VGS
VGS
1A
V, I D
V, I D
80
80
V GS=
10.0
=2A
40
40
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0
--60
--40 --20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
5
| y fs | -- ID [Nch]
IT16223
VDS=10V
7
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT14213
[Nch]
VGS=0V
3
2
3
2
1.0
7
-25
1.0
7
Ta
=-
° C
75
° C
5
3
2
° C
5
3
2
25
0.1
7
5
3
2
0.1
0.01
2
3
5 7 0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7
0.01
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
Drain Current, ID -- A
IT14214
Diode Forward Voltage, VSD -- V
IT14215
No. A1358-3/8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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| ECH8661-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| ECH8662-TL-H | 功能描述:MOSFET SWITCHING DEVICE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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