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参数资料
| 型号： | ECH8660-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 30V 4.5A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 59 毫欧 @ 2A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 4.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 240pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8660
7
5
3
2
VDD=15V
VGS=10V
SW Time -- ID
td(off)
[Nch]
5
3
2
Ciss, Coss, Crss -- VDS
Ciss
[Nch]
f=1MHz
100
10
7
5
tr
tf
td(on)
7
5
C o ss
3
2
3
2
Crss
1.0
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
10
0
5
10
15
20
25
30
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
10
9
VDS=10V
ID=4.5A
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
IT14216
[Nch]
7
5
3
2
IDP=30A
ASO [Nch]
IT14217
PW ≤ 10 μ s
0 μ
10
1m s
ID=4.5A
s
ms
10
e a
1.0 op s
t o
i
n(
Operation in this
3 Ta =
area is limited by RDS(on). 25
°C
Ta=25 ° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate
(1200mm 2 × 0.8mm)
0.1
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
10
7
5
2
5
2
0.1
7
5
3
2
0.01
2 3 5 7 1.0 2 3 5 7 10
DC 0m
7 r
3 10
)
2
3
5
--4.0
Total Gate Charge, Qg -- nC
ID -- VDS
IT14218
[Pch]
--6
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
ID -- VGS
VDS= --10V
IT14195
[Pch]
--3.5
--5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
--3.0V
VGS= --2.5V
--4
--3
--2
--1
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
180
160
ID= --1A
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
--2A
IT14186
[Pch]
Ta=25°C
160
140
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT14187
[Pch]
140
120
I D=
= --4
= --1
--4.5
VGS
= --2A
= --10
120
100
80
60
40
20
100
80
60
40
20
VGS A
=
V GS
--1A
.0V,
V, I D
.0V, I D
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
0
--60
--40 --20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
IT16224
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT14189
No. A1358-4/8
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PDF描述 |
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