- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录410 > ECH8662-TL-H (ON Semiconductor)MOSFET N-CH DUAL 40V 6.5A ECH8 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | ECH8662-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 40V 6.5A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1130pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8662
6.5
6.0
ID -- VDS
9
8
ID -- VGS
VDS=10V
5.5
5.0
4.5
4.0
3.5
7
6
5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1.5V
VGS=1.2V
4
3
2
1
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
63
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT13825
Ta=25°C
63
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT13826
54
ID=1.5A
54
.5A
.5A
=3
, ID
2.5
.5A
ID
.0V
V GS
=3
=4
ID
.5V
VG
=4
VG
45
36
27
18
9
0
3.5A
45
36
27
18
9
0
V
S
=1
= ,
S ,
0
1
2
3
4
5
6
7
8
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
| y fs | -- ID
10
7
5
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
VDS=10V
IT13827
2
10
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT13828
VGS=0V
7
3
5
° C
° C
2
1.0
7
5
Ta
=
--
25
75
3
2
1.0
7
3
2
25
° C
5
3
2
0.1
7
5
3
2
0.01
0.1
7
5
3
2
0.01
0.001 2 3
5 7 0.01
2 3
5 7 0.1
2 3
5 7 1.0
2 3
5 7 10
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
3
2
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT13829
VDD=20V
VGS=4.5V
3
2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT13830
f=1MHz
Ciss
100
7
5
td(off)
tf
1000
7
5
3
2
3
2
tr
td(on)
100
7
5
Coss
Crss
10
7
3
2
0.1
2
3
5
7
1.0
2
3
5
7
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Drain Current, ID -- A
IT13831
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT13832
No. A1259-3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECH8667-TL-H | MOSFET P-CH DUAL 30V 5.5A ECH8 |
| ECH8668-TL-H | MOSFET N/P-CH 20V 7.5A ECH8 |
| ECH8671-TL-H | MOSFET P-CH DUAL 12V 3.5A ECH8 |
| ECH8672-TL-H | MOSFET P-CH DUAL 20V 3.5A ECH8 |
| ECH8675-TL-H | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.5A ECH8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ECH8663R | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8663R_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8663R-TL-H | 功能描述:MOSFET PCH+PCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ECH8664R | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8664R_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。