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参数资料
| 型号： | ECH8662-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH DUAL 40V 6.5A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 30 毫欧 @ 3.5A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 12nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1130pF @ 20V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8662
5.0
VGS -- Qg
100
ASO
era
tio
1m
10m
0m
T =
n(
25
° C
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
VDS=20V
ID=6.5A
7
5
3
2
10
7
5
3
2
1.0
7
5
3
2
IDP=40A
ID=6.5A
DC
op
Operation in this
area is limited by RDS(on).
10
a
s
s
10
s
)
0 μ s
PW ≤ 10 μ s
0.1
1.0
0.5
0
7
5
3
2
0.01
Ta=25 ° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate (900mm 2 ?0.8mm) 1unit
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
0.1
2
3
5 7 1.0
2
3
5 7 10
2
3
5
7
1.8
1.6
Total Gate Charge, Qg -- nC IT13833
PD -- Ta
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 ? 0.8mm)
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT13834
1.5
1.4
1.3
1.2
To
al
nit
1.0
0.8
1u
t
Di
ss
ip
a i t
on
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT13835
No. A1259-4/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECH8667-TL-H | MOSFET P-CH DUAL 30V 5.5A ECH8 |
| ECH8668-TL-H | MOSFET N/P-CH 20V 7.5A ECH8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ECH8663R | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8663R_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8663R-TL-H | 功能描述:MOSFET PCH+PCH 4V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ECH8664R | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8664R_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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