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参数资料
| 型号： | ECH8667-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 30V 5.5A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 39 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8667
--3.0
ID -- VDS
--9
VDS= --10 V
ID -- VGS
--8
--2.5
--7
--2.0
--6
--5
--1.5
--4
--1.0
VGS= --2.5V
--3
--2
--0.5
--1
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
0
--0.5
--1.0
--1.5
--2.0
--2.5
--3.0
--3.5
--4.0
200
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT14855
100
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT14856
180
160
ID= --1.5 A
Ta=25 ° C
90
80
1.5
I D=
. 0V,
= --
5A
--1.
I D=
5V,
S=
VG --2.5
.0V, D
= --1
140
120
100
80
60
40
--3.0A
70
60
50
40
30
4
V GS
--4.
VGS
0
--
A
I =
A
20
20
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
10
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
2
10
7
5
| y fs | -- ID
IT15727
V DS= --10V
2
--10
7
5
3
2
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT15728
VGS=0V
a=
5 ° C
° C
3
2
1.0
7
T
--2
75
25
° C
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
5
3
2
3
2
--0.01
7
5
0.1
7
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7
3
2
--0.001
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
100
7
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
td(off)
IT14859
2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT14860
f=1MHz
5
tf
1000
3
2
10
tr
7
5
3
2
Ciss
7
5
td(on)
VDD= --15V
100
7
Coss
C rs s
3
--0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
VGS= --10V
7 --10
2
5
0
--5
--10
--15
--20
--25
--30
Drain Current, ID -- A
IT14861
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT14862
No. A1778-3/7
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PDF描述 |
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