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参数资料
| 型号： | ECH8667-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH DUAL 30V 5.5A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 39 毫欧 @ 2.5A，10V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8667
Embossed Taping Speci ? cation
ECH8667-TL-H
No. A1778-5/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECH8668-TL-H | MOSFET N/P-CH 20V 7.5A ECH8 |
| ECH8671-TL-H | MOSFET P-CH DUAL 12V 3.5A ECH8 |
| ECH8672-TL-H | MOSFET P-CH DUAL 20V 3.5A ECH8 |
| ECH8675-TL-H | MOSFET P-CH DUAL 20V 4.5A ECH8 |
| EE-1005 | CONNECTOR FOR PHOTOSENSORS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ECH8667-TL-HX | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:PCH+PCH 4V DRIVE SERIES - Tape and Reel |
| ECH8668 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8668-TL-H | 功能描述:MOSFET N/P-CH 20V 7.5A ECH8 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 阵列 系列:- 产品目录绘图:8-SOIC Mosfet Package 标准包装:1 系列:- FET 型:2 个 N 沟道（双） FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安装类型:表面贴装 封装/外壳:PowerPAK? SO-8 供应商设备封装:PowerPAK? SO-8 包装:Digi-Reel® 产品目录页面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名称:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| ECH8671 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8671-TL-H | 功能描述:MOSFET PCH+PCH 1.8V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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