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参数资料
| 型号： | ECH8668-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 2/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 7.5A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A，5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1060pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8668
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
[N-channel]
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0V
VDS=20V, VGS=0V
VGS=±8V, VDS=0V
20
1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
RDS(on)1
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=4A
ID=4A, VGS=4.5V
0.5
4.2
7
13
1.3
17
V
S
m Ω
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=2A, VGS=2.5V
ID=0.5A, VGS=1.8V
VDS=10V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=10V, VGS=4.5V, ID=7.5A
IS=7.5A, VGS=0V
18
30
1060
180
135
17.5
120
68
80
10.8
2.1
2.9
0.74
26
48
1.2
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
[P-channel]
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=--1mA, VGS=0V
VDS=--20V, VGS=0V
VGS=±8V, VDS=0V
--20
--1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
RDS(on)1
VDS=--10V, ID=--1mA
VDS=--10V, ID=--3A
ID=--3A, VGS=--4.5V
--0.4
4.9
8.3
29
--1.3
38
V
S
m Ω
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=--1.5A, VGS=--2.5V
ID=--0.5A, VGS=--1.8V
VDS=--10V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=--10V, VGS=--4.5V, ID=--5A
IS=--5A, VGS=0V
41
64
960
180
140
14
55
92
68
11
2.0
2.8
--0.82
58
98
--1.2
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
[N-channel]
[P-channel]
4V
0V
VIN
VIN
VDD=10V
ID=4A
RL=2.5 Ω
0V
--4V
VIN
VIN
VDD= --10V
ID= --3A
RL=3.33 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
D
VOUT
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
D
VOUT
G
G
P.G
50 Ω
S
ECH8668
P.G
50 Ω
S
ECH8668
Ordering Information
Device
ECH8668-TL-H
Package
ECH8
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free and Halogen Free
No. A1510-2/8
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