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参数资料
| 型号： | ECH8668-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N/P-CH 20V 7.5A ECH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 7.5A，5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 17 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 10.8nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1060pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-ECH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
ECH8668
1000
7
5
SW Time -- ID
[Pch]
VDD= --10V
VGS= --4V
3
2
Ciss, Coss, Crss -- VDS
[Pch]
f=1MHz
3
2
1000
Ciss
100
td(off)
7
5
7
5
tf
3
3
2
10
tr
td(on)
2
100
Coss
Crss
7
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
7
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
10
1m μ s
ms
0m
era
n(
Ta
25
° C
area is limited by RDS(on).
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
VDS= --10V
ID= --5A
Drain Current, ID -- A
VGS -- Qg
IT13079
[Pch]
--100
7
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
IDP= --40A PW ≤ 10 μ s
Operation in this
ASO [Pch]
op s
DC 10
tio
ID= --5A 10
=
s
)
0
IT13080
Ta=25 ° C
Single pulse
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 × 0.8mm)
--1.0
--0.5
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
--0.1
7
5
3
2
--0.01
--0.01 2 3 5 7 --0.1 2 3 5 7 --1.0 2 3
5 7 --10
2 3
5
1.8
1.6
Total Gate Charge, Qg -- nC IT13081
PD -- Ta [Nch/Pch]
When mounted on ceramic substrate
(900mm 2 × 0.8mm)
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT13082
1.5
1.4
1.3
1.2
To
al
nit
1.0
0.8
0.6
1u
t
Di
ss
ip
a i t
on
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT13083
No. A1510-5/8
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ECH8671-TL-H | MOSFET P-CH DUAL 12V 3.5A ECH8 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ECH8671 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8671-TL-H | 功能描述:MOSFET PCH+PCH 1.8V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ECH8672 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
| ECH8672-TL-H | 功能描述:MOSFET PCH+PCH 1.8V DRIVE SERIES RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| ECH8673 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs General-Purpose Switching Device Applications |
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