参数资料
型号: ECH8672-TL-H
厂商: ON Semiconductor
文件页数: 3/7页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH DUAL 20V 3.5A ECH8
标准包装: 3,000
FET 型: 2 个 P 沟道(双)
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 3.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 85 毫欧 @ 1.5A,4.5V
闸电荷(Qg) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 320pF @ 10V
功率 - 最大: 1.3W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-SMD,扁平引线
供应商设备封装: 8-ECH
包装: 带卷 (TR)
ECH8672
--3.0
ID -- VDS
--5.0
--4.5
VDS= --10V
ID -- VGS
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--0.5
--1.5V
VGS= --1.2V
--1.0
--0.5
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
0
--0.2 --0.4 --0.6 --0.8 --1.0 --1.2 --1.4 --1.6 --1.8 --2.0 --2.2
= --0
--1.8
VGS
--1.0A
2.5V D
= --
V, I D=
= --4.5
240
210
180
150
120
90
60
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
ID= --0.5A
--1A
--1.5A
IT14533
Ta=25 ° C
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
.5A
V, I D
=
,I =
VGS
--1.5A
V GS
IT14534
30
40
20
0
0
--1
--2
--3
--4
--5
--6
--7
--8
0
--60 --40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
10
7
| y fs | -- ID
IT14657
VDS= --10V
7
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT14658
VGS=0V
5
3
3
2
--1.0
° C
° C
2
1.0
7
Ta
=
--2
5 ° C
25
75
7
5
3
2
5
3
2
--0.1
7
5
3
2
0.1
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5
7
--0.01
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
--1.1
5
3
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT14537
VDD= --10V
VGS= --4.5V
7
5
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT14538
f=1MHz
2
100
7
5
td(off)
3
2
Ciss
3
2
10
7
td(on)
tf
tr
100
7
5
Coss
Crss
5
3
3
2
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
2
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
Drain Current, ID -- A
IT14539
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT14540
No. A1465-3/7
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