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参数资料
| 型号： | EDI8F8512C |
| 英文描述： | 512Kx8 Static RAM CMOS, Module(512Kx8 CMOS静态RAM模块) |
| 中文描述： | 512Kx8静态RAM的CMOS模块（512Kx8的CMOS静态内存模块） |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 214K |
| 代理商： | EDI8F8512C |
EDI8F8512C
512Kx8 Static Ram
6
EDI8F8512C Rev. 12 7/97 ECO#9922
AC Characteristics Write Cycle
Note 1: Parameter guaranteed, but not tested.
A
W
E
D
Q
TAVAV
TAVEL
TEHAX
TDVEH
TEHDX
TELEH
TAVEH
DATA VALID
HIGH Z
TWLEH
Write Cycle Time
TAVAV
TWC
55
70
85
100
ns
Chip Enable to End of Write
TELWH
TCW
50
65
70
80
ns
TELEH
TCW
50
65
70
80
ns
Address Setup Time
TAVWL
TAS
0000
ns
TAVEL
TAS
0000
ns
Address Valid to End of Write
TAVWH
TAW
50
65
70
80
ns
TAVEH
TAW
50
65
70
80
ns
Write Pulse Width
TWLWH
TWP
50
65
70
80
ns
TWLEH
TWP
50
65
70
80
ns
Write Recovery Time
TWHAX
TWR
0000
ns
TEHAX
TWR
0000
ns
Data Hold Time
TWHDX
TDH
0000
ns
TEHDX
TDH
0000
ns
Write to Output in High Z (1)
TWLQZ TWHZ
0
30
0
30
0
35
0
40
ns
Data to Write Time
TDVWH
TDW
30
35
40
ns
TDVEH
TDW
30
35
40
ns
Output Active from End of Write (1)
TWHQX TWLZ
5555
ns
A
E
W
D
Q
TAVAV
TELWH
TAVWH
TWLWH
TAVWL
TDVWH
TWHDX
TWHQX
HIGH Z
TWLQZ
DATA VALID
TWHAX
Write Cycle 2 - E Controlled
Write Cycle 1 - W Controlled
Symbol
55ns
70ns
85ns
100ns
Parameter
JEDEC
Alt.
Min Max
Min Max Units
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| EDI8L32128C20AC (WPS128K32-20P | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:EDI8L32128C20AC (WPS128K32-20P - Bulk 制造商:White Electronic Designs 功能描述:EDI8L32128C20AC (WPS128K32-20P - Bulk |
| EDI8L32128C20AI | 制造商:Microsemi Corporation 功能描述:EDI8L32128C20AI - Bulk |
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