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参数资料
| 型号： | EL7562CUZ |
| 厂商： | Intersil |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REG BUCK SYNC ADJ 2A 16QSOP |
| 标准包装： | 97 |
| 类型： | 降压（降压） |
| 输出类型： | 可调式 |
| 输出数： | 1 |
| 输出电压： | 1 V ~ 3.8 V |
| 输入电压： | 3.5 V ~ 5 V |
| PWM 型： | 电流模式 |
| 频率 - 开关： | 1MHz |
| 电流 - 输出： | 2A |
| 同步整流器： | 是 |
| 工作温度： | 0°C ~ 70°C |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 16-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） |
| 包装： | 管件 |
| 供应商设备封装： | 16-QSOP |
| 产品目录页面： | 1242 (CN2011-ZH PDF) |
Absolute Maximum Ratings (T A = 25°C)
Supply Voltage between V IN or V DD and GND . . . . . . . . . . . . +6.5V
V LX Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . V IN +0.3V
Input Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . GND -0.3V, V DD +0.3V
Storage Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .-65°C to +150°C
Operating Ambient Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . 0°C to +70°C
Operating Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +135°C
V HI Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . GND -0.3V, V LX +6V
CAUTION: Stresses above those listed in “Absolute Maximum Ratings” may cause permanent damage to the device. This is a stress only rating and operation of the
device at these or any other conditions above those indicated in the operational sections of this specification is not implied.
IMPORTANT NOTE: All parameters having Min/Max specifications are guaranteed. Typical values are for information purposes only. Unless otherwise noted, all tests
are at the specified temperature and are pulsed tests, therefore: T J = T C = T A
DC Electrical Specifications
V DD = V IN = 5V, T A = T J = 25°C, C OSC = 270pF, unless otherwise specified.
PARAMETER
V REF
DESCRIPTION
Reference Accuracy
CONDITIONS
MIN
1.24
TYP
1.26
MAX
1.28
UNIT
V
V REFTC
Reference Temperature Coefficient
50
ppm/°C
V REFLOAD
V RAMP
Reference Load Regulation
Oscillator Ramp Amplitude
0 < I REF < 50μA
-1
1.15
%
V
I OSC_CHG
I OSC_DIS
Oscillator Charge Current
Oscillator Discharge Current
0.1V < V OSC < 1.25V
0.1V < V OSC < 1.25V
200
8
μA
mA
I VDD +V DRV
I VDD_OFF
V DD_OFF
V DD_ON
T OT
T HYS
I LEAK
V DD +V DRV Supply Current
V DD Standby Current
V DD for Shutdown
V DD for Startup
Over-temperature Threshold
Over-temperature Hysteresis
Internal FET Leakage Current
V EN = 4V, F OSC = 120kHz
EN = 0
EN = 0, L X = 5V (low FET), L X = 0V (high
2
2.5
2.6
1
135
20
6.5
1.5
2.7
3
20
mA
mA
V
V
°C
°C
μA
FET)
I LMAX
Peak Current Limit
3
A
R DSON
R DSONTC
FET On Resistance
R DSON Tempco
Wafer level test only
60
0.2
120
m Ω
m Ω /°C
V FB
V FB_LINE
V FB_LOAD
V FB_TC
I FB
V EN_HI
Output Initial Accuracy
Output Line Regulation
Output Load Regulation
Output Temperature Stability
Feedback Input Pull Up Current
EN Input High Level
I LOAD = 0A
V IN = 5V, Δ V IN = 10%, I LOAD = 0A
0.1A < I LOAD < 1A
-40°C < T A < 85°C, I LOAD = 0.5A
V FB = 0V
(Note)
0.970
4
0.985
0.5
0.5
±1
100
1.000
200
V
%
%
%
nA
V
V EN_LO
EN Input Low Level
1
V
I EN
Enable Pull Up Current
V EN = 0
-4
-2.5
μA
NOTE: V EN_HI is typically 2/3 of V DD . For V DD = 3.3V, V EN_HI is 2.2V typical.
2
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