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参数资料
| 型号： | EMH1307-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 6.5A EMH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-EMH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
EMH1307
--7
--6
ID -- VDS
Ta=25 ° C
--10
--9
VDS= --10V
ID -- VGS
--5
--4
--3
--1.6V
--8
--7
--6
--5
--4
--2
--1
VGS= --1.5V
--3
--2
--1
0
0
--0.1
--0.2
--0.3
--0.4
--0.5
--0.6
--0.7
--0.8
--0.9
--1.0
0
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
--1.4
--1.6
--1.8 --2.0
80
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
RDS(on) -- VGS
IT15992
Ta=25 ° C
80
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
RDS(on) -- Ta
IT15993
70
ID= --0.5A
70
= --1.
8V, I D
60
50
--1.0A
--3.0A
60
50
VGS
=
--0.5A
VGS
--2.5V
--4.5V D
40
30
20
40
30
20
=
VG S=
, I D=
,I =
--1.0A
--3.0A
10
10
0
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
0
--60
--40
--20
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Gate-to-Source Voltage, VGS -- V
-25
=-
Ta
° C
3
2
10
7
5
3
2
1.0
| y fs | -- ID
C
25 °
° C
75
IT15994
VDS= --10V
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
--0.1
7
5
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IS -- VSD
IT15995
VGS=0V
7
5
3
2
3
2
--0.01
7
5
3
2
0.1
--0.01
2
3
5
7 --0.1
2
3
5
7 --1.0
2
3
5
7
--0.001
0
--0.2
--0.4
--0.6
--0.8
--1.0
--1.2
1000
7
5
Drain Current, ID -- A
SW Time -- ID
IT15996
VDD= --10V
VGS= --4.5V
3
2
Diode Forward Voltage, VSD -- V
Ciss, Coss, Crss -- VDS
IT15997
f=1MHz
3
Ciss
2
100
7
5
td(off)
tf
1000
7
5
3
3
2
10
tr
td(on)
2
100
C o ss
Crss
7
--0.01
2
3
5 7 --0.1
2
3
5 7 --1.0
2
3
5 7 --10
7
0
--2
--4
--6
--8
--10
--12
--14
--16
--18
--20
Drain Current, ID -- A
IT15998
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15999
No. A1715-3/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| EMH1405_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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