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参数资料
| 型号： | EMH1307-TL-H |
| 厂商： | ON Semiconductor |
| 文件页数： | 4/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 6.5A EMH8 |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 26 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 13nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1100pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.5W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-SMD，扁平引线 |
| 供应商设备封装： | 8-EMH |
| 包装： | 带卷 (TR) |
EMH1307
1 0 m
DC 1 0 0
o e
ion
rat
(Ta
5 ° C
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
VDS= --10V
ID= --6.5A
VGS -- Qg
5
3
2
--10
7
5
3
2
--1.0
7
5
3
2
IDP= --26A (PW ≤ 10 μ s)
ID= --6.5A
Operation in this area
ASO
p ms
is limited by RDS(on). =2
1m
s
)
s
100
μ s
--1.0
--0.1
7
5
When mounted on ceramic substrate (1200mm 2 × 0.8mm)
--0.1
--0.5
0
0
2
4
6
8
10
12
14
--0.01
3 Ta=25 ° C
2 Single pulse
2 3 5 7 --1.0 2 3 5 7 --10
2
3
1.8
1.6
Total Gate Charge, Qg -- nC IT15600
PD -- Ta
When mounted on ceramic substrate
(1200mm 2 × 0.8mm)
Drain-to-Source Voltage, VDS -- V
IT15515
1.5
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
Ambient Temperature, Ta -- ° C
IT15516
No. A1715-4/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EMH1405-TL-H | MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8 |
| EMH2308-TL-E | MOSFET P-CH DUAL 30V 3A ECH8 |
| EMH2314-TL-H | MOSFET P-CH DUAL 12V 5A EMH8 |
| EMH2408-TL-H | MOSFET N-CH DUAL 20V 4A EMH8 |
| EMH2409-TL-H | MOSFET N-CH DUAL 30V 4A EMH8 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| EMH1401-TL-E | 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 20V 6A EMH8 |
| EMH1402 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device |
| EMH1402-TL-E | 制造商:SANYO 功能描述:Nch 30V 6A 0.028 dlgW Tape & Reel 制造商:SANYO Semiconductor Co Ltd 功能描述:MOSFET N CH 30V 6A EMH8 制造商:Sanyo 功能描述:0 |
| EMH1405 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications |
| EMH1405_12 | 制造商:SANYO 制造商全称:Sanyo Semicon Device 功能描述:General-Purpose Switching Device Applications |
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