参数资料
| 型号： | EPC9002 |
| 厂商： | EPC |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD DEV FOR EPC2001 100V GAN |
| 应用说明： | Thermal Performance of eGaN® FETs Assembling eGaN® FETS Using eGaN® FETs |
| 产品培训模块： | eGaN™ Basics eGaN™ Power Transistors Characteristics Drivng eGaN™ Power Transistors eGaN FETs for DC-DC Conversion |
| RoHS指令信息： | Lead Free/RoHS Statement |
| 设计资源： | EPC9002 Schematic EPC9002 Gerber Files |
| 特色产品： | EPC Development Tools |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | eGaN® |
| 主要目的： | 电源管理，半 H 桥驱动器（外部 FET） |
| 嵌入式： | 否 |
| 已用 IC / 零件： | EPC2001 |
| 主要属性： | 100V，10A 最大输出 GaNFET 功率 |
| 次要属性： | GaNFET 驱动器电路，采用 7 ~ 12V 电压 |
| 已供物品： | 板 |
| 产品目录页面： | 1139 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | 917-1011 |
DESCRIPTION
The EPC9002 development board is a 100 V maximum device volt-
age, 10 A maximum output current, half bridge with onboard gate
drives, featuring the EPC2001 enhancement mode ( eGaN ?) field
effect transistor (FET). The purpose of this development board is
to simplify the evaluation process of the EPC2001 eGaN FET by in-
cluding all the critical components on a single board that can be
easily connected into any existing converter.
The EPC9002 development board is 2” x 1.5” and contains two
EPC2001 eGaN FET in a half bridge configuration using Texas
Table 1: Performance Summary (TA = 25°C)
www.epc-co.com
Instruments LM5113 gate driver, supply and bypass capacitors.
The board contains all critical components and layout for optimal
switching performance. There are also various probe points to fa-
cilitate simple waveform measurement and efficiency calculation.
A complete block diagram of the circuit is given in Figure 1.
For more information on the EPC2001s eGaN FET please refer to
the datasheet available from EPC at www.epc-co.com. The data-
sheet should be read in conjunction with this quick start guide
SYMBOL PARAMETER
CONDITIONS
MIN
MAX
UNITS
V DD
V IN
V OUT
I OUT
Gate Drive Input Supply Range
Bus Input Voltage Range
Switch Node Output Voltage
Switch Node Output Current
7
12
70*
100
10*
V
V
V
A
V PWM
PWM Logic Input Voltage Threshold
Minimum ‘High’ State Input Pulse Width
Minimum ‘Low’ State Input Pulse Width
Input ‘High’
Input ‘Low’
VPWM rise and fall time < 10ns
VPWM rise and fall time < 10ns
3.5
0
60
200 #
6
1.5
V
V
ns
ns
* Assumes inductive load, maximum current depends on die temperature – actual maximum current with be subject to switching frequency, bus voltage and thermals.
# Limited by time needed to ‘refresh’ high side bootstrap supply voltage.
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PDF描述 |
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