参数资料
型号: EPC9002
厂商: EPC
文件页数: 6/7页
文件大小: 0K
描述: BOARD DEV FOR EPC2001 100V GAN
应用说明: Thermal Performance of eGaN® FETs
Assembling eGaN® FETS
Using eGaN® FETs
产品培训模块: eGaN™ Basics
eGaN™ Power Transistors Characteristics
Drivng eGaN™ Power Transistors
eGaN FETs for DC-DC Conversion
RoHS指令信息: Lead Free/RoHS Statement
设计资源: EPC9002 Schematic
EPC9002 Gerber Files
特色产品: EPC Development Tools
标准包装: 1
系列: eGaN®
主要目的: 电源管理,半 H 桥驱动器(外部 FET)
嵌入式:
已用 IC / 零件: EPC2001
主要属性: 100V,10A 最大输出 GaNFET 功率
次要属性: GaNFET 驱动器电路,采用 7 ~ 12V 电压
已供物品:
产品目录页面: 1139 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: 917-1011
1
2
3
4
5
6
7 - 12 Vdc
NC
NC
GND
A
J1
1
2
CON2
C10
1uF, 25V
8
7
6
5
U3
IN
NC
NC
NC
MCP1703
OUT 1
2
3
4
C4
1uF, 25V
C11
1uF, 25V
VCC
A
TP2
Keystone 5015
J5
CON4
J2
U1
VCC
B
1
2
CON2
J9
1
2
CON2
R1
10k
A
B
GND
NC7SZ00L6X
VDD
Y
R2
Zero
U4
Q1
EPC2001
J6
CON4
70V Max
B
A
VDD
C
PWM2
R14
B
GND
NC7SZ08L6X
P2
Optional
Y
2
D2
SDM03U40
R5
P1
Optional
2
D1
SDM03U40
R4
22.0
C16
100pF
U2
0.1uF, 25V
C9
R19
R23
R20
Zero
Zero
Zero
J3
CON4
J4
CON4
Q2
EPC2001
D3
SW OUT
C21
C22
C23
1uF, 100V
TP3 (Optional)
1
CON1
C
R15
Zero
Optional
47.0
C17
100pF
LM5113TM
R24
0.1uF, 25V
C19
Zero
Optional
J7
CON4
GND
TP1
Keystone 5015
J8
CON4
D
D
Development Board EPC9002 Schematic
Rev 5.0
1
2
3
4
5
6
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PDF描述
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