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参数资料
| 型号： | ES29BDS400E-90RWCI |
| 厂商： | 优先(苏州)半导体有限公司 |
| 英文描述： | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 的4Mb（512Kx 8/256K × 16），3.0伏的CMOS只，引导扇区闪存 |
| 文件页数： | 33/51页 |
| 文件大小： | 697K |
| 代理商： | ES29BDS400E-90RWCI |
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ES I
39
Rev.0B January 5, 2006
ES29LV400E
Excel Semiconductor inc.
AC CHARACTERISTICS
Table 14. Alternate CE# Controlled Erase and Program Operations
Parameter
Description
70
90
Unit
JEDEC
Std.
tAVAV
tWC
Write Cycle Time( Note 1)
Min
70
90
ns
tAVWL
tAS
Address Setup Time
Min
0
ns
tELAX
tAH
Address Hold Time
Min
45
ns
tDVEH
tDS
Data Setup Time
Min
35
45
ns
tEHDX
tDH
Data Hold Time
Min
0
ns
tGHEL
Read Recovery Time Before Write (OE# High to WE# Low)
Min
0
ns
tWLEL
tWS
WE# Setup Time
Min
0
ns
tEHWH
tWH
WE# Hold Time
Min
0
ns
tELEH
tCP
CE# Pulse Width
Min
35
ns
tELEL
tCPH
CE# Pulse Width High
Min
30
ns
tWHWH1
Programming Operation (Note 2)
Byte
Typ
6
us
Word
Typ
8
tWHWH2
Sector Erase Operation (Note 2)
Typ
0.7
sec
Notes :
1. Not 100% tested
2. See the “Erase And Programming Performance” section for more information.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| ES3250402ATL | POWER/SIGNAL RELAY, 3PDT, MOMENTARY, 0.097A (COIL), 28VDC (COIL), 2716mW (COIL), 25A (CONTACT), 28VDC (CONTACT), PANEL MOUNT |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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