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参数资料
| 型号： | ES29BDS400FB-70RWCI |
| 厂商： | 优先(苏州)半导体有限公司 |
| 英文描述： | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| 中文描述： | 的4Mb（512Kx 8/256K × 16），3.0伏的CMOS只，引导扇区闪存 |
| 文件页数： | 28/51页 |
| 文件大小： | 697K |
| 代理商： | ES29BDS400FB-70RWCI |
第1页第2页第3页第4页第5页第6页第7页第8页第9页第10页第11页第12页第13页第14页第15页第16页第17页第18页第19页第20页第21页第22页第23页第24页第25页第26页第27页当前第28页第29页第30页第31页第32页第33页第34页第35页第36页第37页第38页第39页第40页第41页第42页第43页第44页第45页第46页第47页第48页第49页第50页第51页
ES I
34
Rev.0B January 5, 2006
ES29LV400E
Excel Semiconductor inc.
Address
OE#
WE#
DATA
2AAh
CE#
Vcc
RY/BY#
tWC
Erase Command Sequence (last two cycles)
VA
SA
VA
tAS
tVCS
tBUSY
tWHWH2
In
Progress
Complete
55h
30h
tWP
tCS
tWPH
tRB
tCH
Read Status Data
555h for chip erase
10h for chip erase
tDS t
DH
NOTES :
1. SA = sector address(for Sector Erase), VA = valid address for reading status data(see “Write Operation Status”).
2. These waveforms are for the word mode.
Figure 21. Chip/Sector Erase Operation Timings
AC CHARACTERISTICS
tAH
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ES29BDS400FT-70RWCI | 4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES2BA | 2 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE |
| ES3250402ATL | POWER/SIGNAL RELAY, 3PDT, MOMENTARY, 0.097A (COIL), 28VDC (COIL), 2716mW (COIL), 25A (CONTACT), 28VDC (CONTACT), PANEL MOUNT |
| ES52K1C05N-20.000MTR | TCXO, CLIPPED SINE OUTPUT, 20 MHz |
| ESAC25-04C | 10 A, 400 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| ES29BDS400FB-90TGI | 制造商:EXCELSEMI 制造商全称:EXCELSEMI 功能描述:32Mbit(4M x 8/2M x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS400FT-70RTG | 制造商:EXCELSEMI 制造商全称:EXCELSEMI 功能描述:4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
| ES29BDS400FT-70RWCI | 制造商:EXCELSEMI 制造商全称:EXCELSEMI 功能描述:4Mbit(512Kx 8/256K x 16) CMOS 3.0 Volt-only, Boot Sector Flash Memory |
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