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参数资料
| 型号： | EVAL-ADF4252EBZ2 |
| 厂商： | Analog Devices Inc |
| 文件页数： | 23/28页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | BOARD EVAL ADF4252 NO VCO/FILTER |
| 标准包装： | 1 |
| 主要目的： | 计时，频率合成器 |
| 嵌入式： | 否 |
| 已用 IC / 零件： | ADF4252 |
| 主要属性： | 双路分数-N PLL II |
| 次要属性： | 板不包括环路滤波器和 VCO |
| 已供物品： | 部分安装的板，线缆，软件 |
| 相关产品： | ADF4252BCPZ-R7-ND - IC PLL FREQ SYNTHESIZER 24LFCSP ADF4252BCPZ-RL-ND - IC PLL FREQ SYNTHESIZER 24LFCSP ADF4252BCPZ-ND - IC PLL FREQ SYNTHESIZER 24-LFCSP |
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REV. B
–4–
ADF4252
CAUTION
ESD (electrostatic discharge) sensitive device. Electrostatic charges as high as 4000 V readily
accumulate on the human body and test equipment and can discharge without detection. Although the
ADF4252 features proprietary ESD protection circuitry, permanent damage may occur on devices
subjected to high energy electrostatic discharges. Therefore, proper ESD precautions are recommended
to avoid performance degradation or loss of functionality.
ORDERING GUIDE
Temperature
Package
Mode
Range
Option
*
ADF4252BCP
–40C to +85C
CP-24
ADF4252BCP-REEL
–40C to +85C
CP-24
ADF4252BCP-REEL7
–40C to +85C
CP-24
EVAL–ADF4252EB1
EVAL–ADF4252EB2
*CP = Chip Scale Package
PIN CONFIGURATION
PIN 1
INDICATOR
TOP VIEW
(Not to Scale)
18 CPGND2
17 DVDD
16 IFINA
15 IFINB
CPRF 1
CPGND1 2
RFINA 3
24
V
P
1
14 AGND2
13 RSET
REF
IN
7
REF
OUT
8
D
GND
9
CLK
10
DA
T
A
11
LE
1
2
RFINB 4
AGND1 5
MUXOUT 6
23
V
DD
1
22
V
DD
3
21
V
DD
2
20
V
P
2
19
CP
IF
ADF4252
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
1, 2
(TA = 25
°C, unless otherwise noted.)
VDD1, VDD2, VDD3, DVDD to GND
3
. . . . . . . . –0.3 V to +4 V
REFIN, RFINA, RFINB to GND . . . . . . –0.3 V to VDD + 0.3 V
VP1, VP2 to GND . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –0.3 V to +5.8 V
VP1, VP2 to VDD1 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –3.3 V to +3.5 V
Digital I/O Voltage to GND . . . . . . . . –0.3 V to VDD + 0.3 V
Analog I/O Voltage to GND . . . . . . . . –0.3 V to VDD + 0.3 V
Operating Temperature Range
Industrial (B Version) . . . . . . . . . . . . . . . . –40
°C to +85°C
Storage Temperature Range . . . . . . . . . . . . –65
°C to +150°C
Maximum Junction Temperature . . . . . . . . . . . . . . . . . 150
°C
CSP JA Thermal Impedance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 122
°C/W
Soldering Reflow Temperature
Vapor Phase (60 sec max) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 240
°C
IR Reflow (20 sec max) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 240
°C
NOTES
1Stresses above those listed under Absolute Maximum Ratings may cause perma-
nent damage to the device. This is a stress rating only and functional operation of
the device at these or any other conditions above those listed in the operational
sections of this specification is not implied. Exposure to absolute maximum rating
conditions for extended periods may affect device reliability.
2This device is a high performance RF integrated circuit with an ESD rating
of <2 k
, and it is ESD sensitive. Proper precautions should be taken for handling
and assembly.
3GND = CP
GND1, AGND1, DGND, AGND2, and CPGND2.
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PDF描述 |
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