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参数资料
| 型号： | FCA16N60N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V TO-3PN |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | SupreMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 199 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 52.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2170pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 134.4W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
100
10
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.0 V
5.0 V
100
10
150 C
25 C
-55 C
1
4.5 V
4.0 V
1
o
o
o
2. T C = 25 C
0.1
0.1
1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
10
20
0.1
2
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
4 6
8
V DS , Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.6
0.5
V GS , Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
100
150 C
25 C
0.4
0.3
0.2
V GS = 10V
V GS = 20V
10
o
o
*Notes:
*Notes: T C = 25 C
0.1
0
10
20 30
40
o
50
1
0.2
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
1.6
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10000
7500
5000
C oss
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
*Notes:
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
10
8
6
V DS = 120V
V DS = 380V
V DS = 480V
4
2500
C iss
2
0
0.1
C rss
1 10 100
600
0
0
*Notes: I D = 8A
10 20 30 40
50
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FCA16N60N Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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