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参数资料
| 型号： | FCA16N60N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V TO-3PN |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | SupreMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 199 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 52.3nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2170pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 134.4W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
*Notes:
1. V GS = 0V
0.5
*Notes:
1. V GS = 10V
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.8
-100
2. I D = 1mA
-50 0 50 100 150 200
o
0.0
-100
2. I D = 8A
-50 0 50 100 150
o
200
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
100
20 μ s
20
10
1
Operation in This Area
DC
10ms
1ms
100 μ s
15
10
is Limited by R DS(on)
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
0.1
*Notes:
o
o
5
T C , Case Temperature [ C ]
0.01
1
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
1000
0
25
50 75 100 125
o
150
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
2
1
0.5
0.2
0.1
0.1
0.05
P DM
t 1
t 2
0.02
*Notes:
10
10
10
10
1. Z θ JC (t) = 0.93 C/W Max.
10
0.01
0.005
0.01
Single pulse
-5
-4
-3
-2
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-1
1
1 ,
t Rectangular Pulse Duration [sec]
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FCA16N60N Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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