参数资料
型号: FCA35N60
厂商: Fairchild Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 35A TO-3PN
产品目录绘图: MOSFET TO-3P(N)
标准包装: 30
系列: SuperFET™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 35A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 98 毫欧 @ 17.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 181nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 6640pF @ 25V
功率 - 最大: 312.5W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3P-3,SC-65-3
供应商设备封装: TO-3PN
包装: 管件
产品目录页面: 1607 (CN2011-ZH PDF)
DUT
+
V DS
_
I SD
L
Driver
D = --------------------------
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
V GS
R G
Same Type
as DUT
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
Gate Pulse Width
Gate Pulse Period
I FM , Body Diode Forward Current
di/dt
V DD
10V
I RM
Body Diode Reverse Current
V DS
( DUT )
Body Diode Recovery dv/dt
V SD
V DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
Figure 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FCA35N60 Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
FCA36N60NF 功能描述:MOSFET 600V N-Ch SupreMOS FRFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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FCA-410 制造商:MACOM 制造商全称:Tyco Electronics 功能描述:Tyco Electronics Mid-Range Military/Aerospace Relays 10 AMPERES, DPDT
FCA-410-0 制造商:Struthers-Dunn 功能描述:
FCA4100RJ 功能描述:线绕电阻器 - 透孔 FCA4 100R 5% LP RoHS:否 制造商:Bourns 电阻:10 Ohms 容差:5 % 功率额定值:7 W 温度系数:200 PPM / C 系列:FW 端接类型:Axial 工作温度范围:- 55 C to + 155 C 尺寸:9.5 mm Dia. x 26 mm L 封装:Ammo 产品:Power Resistors Wirewound High Energy