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参数资料
| 型号： | FCD5N60TF |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK |
| 产品目录绘图： | DPAK, TO-252(AA) |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | SuperFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 4.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 950 毫欧 @ 2.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 54W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FCD5N60TFDKR |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
V GS
Figure 2. Transfer Characteristics
Top :
15.0 V
10.0 V
8.0 V
10
10
1
7.0 V
6.5 V
1
150 C
6.0 V
Bottom : 5.5 V
o
10
10
25 C
-55 C
10
2. T C = 25 C
0
-1
* Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
o
0
o
o
* Note
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
10
-1
0
1
-1
2
4
6
8
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
10
3.0
2.5
1
150 C
2.0
V GS = 10V
o
10
25 C
-55 C
1.5
V GS = 20V
0
o
o
* Note : T J = 25 C
1.0
o
* Note
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.5
0.0
2.5
5.0
7.5
10.0
12.5
15.0
-1
2
4
6
8
10
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
1500
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
12
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
V DS = 100V
C rss = C gd
* Notes :
10
V DS = 250V
V DS = 400V
1000
500
C oss
C iss
C rss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
8
6
4
2
* Note : I D = 4.6A
10
10
0
0
1
0
0
5
10
15
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FCD5N60 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCD7N60TF | MOSFET N-CH 600V 7A DPAK |
| FCD9N60NTM | MOSFET N-CH 600V 9A DPAK |
| FCH20N60 | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 |
| FCH22N60N | MOSFET N-CH 600V 22A TO-247 |
| FCH25N60N | MOSFET N-CH 600V 25A TO-247 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FCD5N60TM | 功能描述:MOSFET 650V SUPERFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCD5N60TM_WS | 功能描述:MOSFET 600V 4.6A N-Channel RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCD-600GS | 制造商:Enhance Technology 功能描述:1 X 600GB 15K SAS DRIVE - Bulk |
| FCD600N60Z | 功能描述:MOSFET 600V N-Channel MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCD-61414 | 制造商:QUEST TECHNOLOGY 功能描述:RACEWAY, 1/2 IN, WHITE, CEILING DROP 制造商:GC Electronics 功能描述:Cable Accessories Ceiling Drop White Box |
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