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参数资料
| 型号： | FCH20N60 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 20A TO-247 |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | SuperFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 20A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 190 毫欧 @ 10A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 98nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3080pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 208W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247 |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | FCH20N60_NL FCH20N60_NL-ND |
Typical Performance Characteristics
10
Figure 1. On-Region Characteristics
2
Figure 2. Transfer Characteristics
10
Top :
V GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
2
10
10
o
1
6.0 V
Bottom : 5.5 V
1
150 C
o
o
25 C
-55 C
10
10
2. T C = 25 C
0
* Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
o
0
* Note
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
-1
0 1
V DS , Drain-Source Voltage [V]
2
4 6 8
V GS , Gate-Source Voltage [V]
10
10
10
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.4
0.3
V GS = 10V
0.2
V GS = 20V
2
1
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
10
150 C
25 C
0.1
0
o
o
* Notes :
1. V GS = 0V
* Note : T J = 25 C
0.0
o
2. 250 μ s Pulse Test
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
10000
12
V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
9000
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
C oss = C ds + C gd
V DS = 100V
8000
7000
6000
5000
C oss
C rss = C gd
* Notes :
10
8
6
V DS = 250V
V DS = 400V
4000
3000
2000
1000
C iss
C rss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2
* Note : I D = 20A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
FCH20N60 / FCA20N60 / FCA20N60_F109 Rev. A 4
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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