- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录413 > FCH76N60N (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 600V 76A TO-247 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FCH76N60N |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 76A TO-247 |
| 标准包装： | 150 |
| 系列： | SupreMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 76A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 36 毫欧 @ 38A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 285nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 12385pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 543W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-247-3 |
| 供应商设备封装： | TO-247-3 |
| 包装： | 管件 |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
150 C
300
100
V GS = 15V
10V
8V
6V
5.5V
5V
4.5V
500
100
o
25 C
-55 C
10
10
o
o
2. T C = 25 C
2
0.1
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
1 10
V DS , Drain-Source Voltage[V]
20
1
2
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
4 6
V GS , Gate-Source Voltage[V]
8
150 C
25 C
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
50
45
40
V GS = 10V
35
V GS = 20V
30
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
400
100
o
o
10
*Notes:
1. V GS = 0V
*Note: T C = 25 C
25
0
50
100 150 200 250
I D , Drain Current [A]
o
1
0.0
2. 250 μ s Pulse Test
0.5 1.0
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
1.5
10
Figure 5. Capacitance Characteristics
5
C oss
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
V DS = 120V
10
10
10
4
3
2
*Note:
C iss
C rss
8
6
4
V DS = 300V
V DS = 480V
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
10 C iss = C gs + C gd ( C ds = shorted )
1
C oss = C ds + C gd
2
C rss = C gd
10
0
0.01 0.1 1 10 100
600
0
0
*Note: I D = 38A
60 120 180
240
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
FCH76N60N Rev. C3
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCI25N60N | MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK |
| FCI7N60 | MOSFET N-CH 600V 7A I2PAK |
| FCLF8522P2BTL | COPPER SFP TXRX 1.25GB/S |
| FCN10785_LE1-REC | LENS FOR LEDENGIN |
| FCN10890_LR1-W | LENS FOR LUXEON REBEL |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FCH76N60N_1112 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel MOSFET |
| FCH76N60NF | 功能描述:MOSFET 600V N-Chan MOSFET FRFET, SupreMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCHC10-100K-RC | 制造商:ALLIED 制造商全称:Allied Components International 功能描述:Ferrite Core Chip Inductors High Current |
| FCHC10-150K-RC | 制造商:ALLIED 制造商全称:Allied Components International 功能描述:Ferrite Core Chip Inductors High Current |
| FCHC10-1R0K-RC | 制造商:ALLIED 制造商全称:Allied Components International 功能描述:Ferrite Core Chip Inductors High Current |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。