参数资料
型号: FCP25N60N
厂商: Fairchild Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 600V TO-220-3
标准包装: 50
系列: SupreMOS™
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 25A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 125 毫欧 @ 12.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 74nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 3352pF @ 100V
功率 - 最大: 216W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
供应商设备封装: TO-220
包装: 管件
DUT
+
V DS
_
I SD
L
Driver
D = --------------------------
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
V GS
R G
Same Type
as DUT
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
Gate Pulse Width
Gate Pulse Period
I FM , Body Diode Forward Current
di/dt
V DD
10V
I RM
Body Diode Reverse Current
V DS
( DUT )
Body Diode Recovery dv/dt
V SD
V DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
Figure 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
FCP25N60N Rev. C1
6
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
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参数描述
FCP25N60N_F102 功能描述:MOSFET 600V N-CHAN SupreMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FCP260N60E 功能描述:MOSFET PWM Controller mWSaver RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
FCP26SG 制造商:ADAM-TECH 制造商全称:Adam Technologies, Inc. 功能描述:.100 IDC BOX HEADER .100 X .100 [2.54 X 2.54] CENTERLINE
FCP-26-SG 功能描述:集管和线壳 26 pos. IDC BOX HEADER .100" RoHS:否 产品种类:1.0MM Rectangular Connectors 产品类型:Headers - Pin Strip 系列:DF50 触点类型:Pin (Male) 节距:1 mm 位置/触点数量:16 排数:1 安装风格:SMD/SMT 安装角:Right 端接类型:Solder 外壳材料:Liquid Crystal Polymer (LCP) 触点材料:Brass 触点电镀:Gold 制造商:Hirose Connector
FCP-26-SG-E 功能描述:集管和线壳 26 pos w/mnting ears IDC BOX HEADER .100" RoHS:否 产品种类:1.0MM Rectangular Connectors 产品类型:Headers - Pin Strip 系列:DF50 触点类型:Pin (Male) 节距:1 mm 位置/触点数量:16 排数:1 安装风格:SMD/SMT 安装角:Right 端接类型:Solder 外壳材料:Liquid Crystal Polymer (LCP) 触点材料:Brass 触点电镀:Gold 制造商:Hirose Connector