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参数资料
| 型号： | FCPF13N60NT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 13A TO220F |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SuperMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 13A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 258 毫欧 @ 6.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 39.5nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1765pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 33.8W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 12. Transient Thermal Response Curve - FCP13N60N
2
1
0.5
0.2
10
10
10
1. Z θ JC (t) = t 1.07 C/W Max.
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
10
10
0.1
0.01
0.1
0.05
0.02
0.01
Single pulse
-5
-4
-3
P DM
t 1
P DM t 2
*Notes:
t 1 o
2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-2
-1
Rectangular Pulse Duration [sec]
t 1 , Rectangular Pulse Duration [sec]
Figure 13. Transient Thermal Response Curve - FCPF13N60NT
5
0.5
1
0.2
0.1
P DM
0.1
0.05
0.02
0.01
*Notes:
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 3.7 C/W Max.
o
Single pulse
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
10
10
10
10
10
10
10
10
0.01
-5
-4
-3
-2
-1
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
0 1
2
1 ,
t Rectangular Pulse Duration [sec]
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FCP13N60N / FCPF13N60NT Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCPF16N60NT | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 |
| FCPF16N60 | MOSFET N-CH 600V 16A TO-220F |
| FCPF190N60 | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 |
| FCPF20N60T | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F |
| FCPF22N60NT | MOSFET N-CH 600V 22A TO-220F |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FCPF13N60T | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| FCPF16N60 | 功能描述:MOSFET 600V N-CH SuperFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCPF16N60NT | 功能描述:MOSFET SupreMOS 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCPF190N60 | 功能描述:MOSFET SuperFET2, 190mohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCPF190N60_F152 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20.2A TO-220F |
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