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参数资料
| 型号： | FCPF16N60 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/10页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 16A TO-220F |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SuperFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 16A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 260 毫欧 @ 8A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 70nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2250pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 37.9W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
10
10
Figure 1. On-Region Characteristics
2
V GS
2
Figure 2. Transfer Characteristics
Top :
15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
10
10
150 C
1
6.5 V
6.0 V
Bottom : 5.5 V
1
o
25 C
o
10
10
-55 C
0
*Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
ο
2. T C = 25 C
0
o
*Note:
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
10
10
-1
0
1
2
4
6
8
10
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.6
0.5
2
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
10
0.4
V GS = 10V
1
0.3
V GS = 20V
10
150 C
25 C
*Note : T J = 25 C
0.2
0.1
o
0
o
o
*Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
7000
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
12
V SD , Source-Drain Voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
6000
5000
4000
C oss
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
10
8
V DS = 100V
V DS = 250V
V DS = 480V
6
3000
C iss
*Notes :
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
4
2000
1000
C rss
2
*Note : I D = 16A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
10
20
30
40
50
60
V DS , Drain-Source Voltage [V]
FCP16N60 / FCPF16N60 Rev. B 1
3
Q G , Total Gate Charge [nC]
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FCPF190N60 | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FCPF16N60NT | 功能描述:MOSFET SupreMOS 16A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCPF190N60 | 功能描述:MOSFET SuperFET2, 190mohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FCPF190N60_F152 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 600V 20.2A TO-220F |
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| FCPF190N60E_F152 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET N-CH 600V TO-220-3 |
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