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参数资料
| 型号： | FCPF7N60NT |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-220F |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-220F |
| 标准包装： | 50 |
| 系列： | SupreMOS™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6.8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 520 毫欧 @ 3.4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 35.6nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 960pF @ 100V |
| 功率 - 最大： | 30.5W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220F |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1608 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
30
V GS = 15.0 V
10.0 V
6.0 V
60
150 C
10
4.5 V
4.0 V
10
o
-55 C
o
25 C
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
1
o
2. T C = 25 C
1
o
*Notes:
1. V DS = 20V
0.5
0.1
1 10
V DS , Drain-Source Voltage[V]
30
0.2
2
2. 250 μ s Pulse Test
4 6
V GS , Gate-Source Voltage[V]
8
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
1.0
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
100
150 C
25 C
0.8
0.6
V GS = 10V
V GS = 20V
10
1
o
o
0.4
*Notes:
*Note: T C = 25 C
0.2
0
4
8 12 16
I D , Drain Current [A]
o
20
0.1
0.4
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
0.6 0.8 1.0
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
1.2
Figure 5. Capacitance Characteristics
10000
*Note:
Figure 6. Gate Charge Characteristics
10
1000
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
C iss
8
6
V DS = 120V
V DS = 380V
V DS = 480V
100
C oss
4
10
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
C rss
2
Crss = Cgd
1
0.1 1 10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
600
0
0
3
*Note: I D = 3.4A
6 9 12 15
Q g , Total Gate Charge [nC]
18
?2012 Fairchild Semiconductor Corporation
FCPF7N60NT Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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