- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录414 > FDA032N08 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 75V 120A TO-3P Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDA032N08 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 120A TO-3P |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-3P(N) |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.2 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 220nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15160pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 375W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
DUT
+
V DS
_
I SD
L
Driver
D = --------------------------
V GS
( Driver )
I SD
( DUT )
V GS
R G
Same Type
as DUT
? dv/dt controlled by R G
? I SD controlled by pulse period
Gate Pulse Width
Gate Pulse Period
I FM , Body Diode Forward Current
di/dt
V DD
10V
I RM
Body Diode Reverse Current
V DS
( DUT )
Body Diode Recovery dv/dt
V SD
V DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
Figure 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA032N08 Rev. C3
6
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDA15N65 | MOSFET N-CH 650V 16A TO-3PN |
| FDA16N50_F109 | MOSFET N-CH 500V 16.5A TO-3P |
| FDA18N50 | MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P |
| FDA20N50_F109 | MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P |
| FDA20N50 | MOSFET N-CH 500V 22A TO-3P |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| F-DA100A | 制造商:Cosel Usa Inc 功能描述:Optional Accessories, OP Series |
| F-DA100B | 制造商:Cosel Usa Inc 功能描述:Optional Accessories, OP Series |
| F-DA100C | 制造商:Cosel Usa Inc 功能描述:Heat Sink; 129.5 mm; 30 mm; DAS100 and DPA500F 制造商:Cosel Usa Inc 功能描述:Optional Accessories, OP Series |
| F-DA100D | 制造商:Cosel Usa Inc 功能描述:Optional Accessories, OP Series |
| FDA1055 | 制造商:TOKO 制造商全称:TOKO, Inc 功能描述:Fixed Inductors for Surface Mounting |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。