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参数资料
| 型号： | FDA18N50 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-3P(N) |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 265 毫欧 @ 9.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2860pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 239W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
November 2013
FDA18N50
N-Channel UniFET TM MOSFET
500 V, 19 A, 265 m ?
Features
? R DS(on) = 265 m ? (Max.) @ V GS = 10 V, I D = 9.5 A
? Low Gate Charge (Typ. 45 nC)
? Low C rss (Typ. 25 pF)
? 100% Avalanche Tested
Applications
? PDP TV
Description
UniFET TM MOSFET is Fairchild Semiconductor ’s high voltage
MOSFET family based on planar stripe and DMOS technology.
This MOSFET is tailored to reduce on-state resistance, and to
provide better switching performance and higher avalanche
energy strength. This device family is suitable for switching
power converter applications such as power factor correction
(PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic
lamp ballasts.
? Uninterruptible Power Supply
? AC-DC Power Supply
D
G
G
D
S
TO-3PN
S
Absolute Maximum Ratings T C = 25 C unless otherwise noted.
o
Symbol
V DSS
Drain-Source Voltage
Parameter
FDA18N50
500
Unit
V
I D
Drain Current
- Continuous (T C = 25 ? C)
- Continuous (T C = 100 ? C)
19
11.4
A
A
I DM
V GSS
Drain Current
Gate-Source voltage
- Pulsed
(Note 1)
76
? 30
A
V
E AS
I AR
E AR
dv/dt
Single Pulsed Avalanche Energy
Avalanche Current
Repetitive Avalanche Energy
Peak Diode Recovery dv/dt
(Note 2)
(Note 1)
(Note 1)
(Note 3)
945
19
23
4.5
mJ
A
mJ
V/ns
P D
Power Dissipation
(T C = 25 ? C)
- Derate above 25 ? C
239
1.92
W
W/ ? C
T J, T STG
T L
Operating and Storage Temperature Range
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,
1/8” from Case for 5 Seconds
-55 to +150
300
? C
? C
Thermal Characteristics
Symbol
R ? JC
R ? JA
Parameter
Thermal Resistance, Junction-to-Case, Max.
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, Max.
FDA18N50
0.52
40
Unit
? C/W
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA18N50 Rev. C1
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDA200ES | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PHOTOVOLTAIC-OUTPUT OPTOCOUPLER |
| FDA200S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PHOTOVOLTAIC-OUTPUT OPTOCOUPLER |
| FDA20N50 | 功能描述:MOSFET 500V NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDA20N50_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FDA20N50_0707 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
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