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参数资料
| 型号： | FDA18N50 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 500V 19A TO-3P |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-3P(N) |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 500V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 19A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 265 毫欧 @ 9.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 60nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2860pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 239W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3P |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Mechanical Dimensions
TO-3PN 3L
Figure 16. 3LD, T03, Plastic, EIAJ SC-65
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Dimension in Millimeters
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA18N50 Rev. C1
7
www.fairchildsemi.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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| FDA200S | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:PHOTOVOLTAIC-OUTPUT OPTOCOUPLER |
| FDA20N50 | 功能描述:MOSFET 500V NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDA20N50_07 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
| FDA20N50_0707 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:500V N-Channel MOSFET |
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