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参数资料
| 型号： | FDA33N25 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-3P(N) |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 94 毫欧 @ 16.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 245W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
100
10
V GS = 15.0 V
10.0 V
8.0 V
7.0 V
6.5 V
6.0 V
200
100
150 C
-55 C
25 C
1
5.5 V
10
o
o
o
2. T C = 25 C
0.1
0.01
*Notes:
1. 250 μ s Pulse Test
o
0.1 1
10
1
4
*Notes:
1. V DS = 20V
2. 250 μ s Pulse Test
6 8
10
V DS ,Drain-Source Voltage[V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.25
0.20
V GS ,Gate-Source Voltage[V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperature
500
100
150 C
25 C
0.15
V GS = 10V
o
o
10
V GS = 20V
0.10
*Notes:
1. V GS = 0V
*Note: T J = 25 C
0.05
0
20
40 60 80
I D , Drain Current [A]
o
100
1
0.0
2. 250 μ s Pulse Test
0.8 1.6
V SD , Body Diode Forward Voltage [V]
2.4
Figure 5. Capacitance Characteristics
Figure 6. Gate Charge Characteristics
4000
3000
C oss
Ciss = Cgs + Cgd ( Cds = shorted )
Coss = Cds + Cgd
Crss = Cgd
10
8
V DS = 50V
V DS = 125V
V DS = 200V
*Note:
2000
C iss
1. V GS = 0V
2. f = 1MHz
6
4
1000
C rss
2
0
0.1
1 10
30
0
0
*Note: I D = 33A
10 20 30
40
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q g , Total Gate Charge [nC]
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA33N25 Rev. C1
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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