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参数资料
| 型号： | FDA33N25 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 33A TO-3PN |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-3P(N) |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 33A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 94 毫欧 @ 16.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 46.8nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2200pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 245W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.8
-100
*Notes:
1. V GS = 0V
2. I D = 250 μ A
-50 0 50 100 150 200
o
0.5
0.0
-100
*Notes:
1. V GS = 10V
2. I D = 16.5A
-50 0 50 100 150 200
o
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
400
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
35
100
10
20 μ s
100 μ s
1ms
10ms
30
25
20
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
1
0.1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
*Notes:
o
o
DC
15
10
5
T C , Case Temperature [ C ]
0.01
1
3. Single Pulse
10 100
V DS , Drain-Source Voltage [V]
400
0
25
50
75 100 125
o
150
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
P DM
1. Z θ JC (t) = 0.51 C/W Max.
0.01
0.02
0.01
Single pulse
t 1
t 2
*Notes:
o
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
10
10
10
10
10
10
10
1E-3
-5
-4
-3
-2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-1 0
1
t 1 , Rectangular Pulse Duration [sec]
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2007 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA33N25 Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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