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参数资料
| 型号： | FDA69N25 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-3P Pkg |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 69A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 41 毫欧 @ 34.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4640pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
* Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
* Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 34.5 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
10
T J , Junction Temperature [ ° C]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
3
10 μ s
T J , Junction Temperature [ ° C]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
80
70
10
2
1ms
100 μ s
60
10
10
10
1. T C = 25 C
2. T J = 150 C
1
0
-1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
10ms
100ms
DC
* Notes :
o
o
3. Single Pulse
50
40
30
20
10
10
10
10
-2
10
0
1
2
0
25
50
75
100
125
150
T C , Case Temperature [ C]
V DS , Drain-SourceVoltage[V]
o
10
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
0
10
-1
D=0.5
0.2
P DM
0.1
0.05
* Notes :
t 1
t 2
10
1. Z θ JC (t) = 0.26 C/W Max.
-2
0.02
0.01
single pulse
0
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
10
10
10
10
10
10
10
-5
-4
-3
-2
-1
0
1
t 1 , Square Wave Pulse Duration [sec]
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA69N25 Rev. C1
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDA70N20 | MOSFET N-CH 200V 70A TO-3P |
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| FDB024N06 | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
| FDB029N06 | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| FDA79N15 | 功能描述:MOSFET 200V N-CH U NIFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDA800001 | 功能描述:OSC 108MHZ 3.3V SMD RoHS:是 类别:晶体和振荡器 >> 振荡器 系列:SaRonix-eCera™ FD 标准包装:1 系列:VG-4512CA 类型:VCXO 频率:153.6MHz 功能:三态（输出启用） 输出:LVPECL 电源电压:3.3V 频率稳定性:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 电流 - 电源（最大）:60mA 额定值:- 安装类型:表面贴装 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W（7.00mm x 5.00mm） 高度:0.071"（1.80mm） 封装/外壳:6-SMD，无引线（DFN，LCC） 包装:Digi-Reel® 电流 - 电源（禁用）（最大）:- 其它名称:SER3790DKR |
| FDA800002 | 功能描述:OSC 108MHZ 1.8V SMD RoHS:是 类别:晶体和振荡器 >> 振荡器 系列:SaRonix-eCera™ FD 标准包装:1 系列:VG-4512CA 类型:VCXO 频率:153.6MHz 功能:三态（输出启用） 输出:LVPECL 电源电压:3.3V 频率稳定性:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 电流 - 电源（最大）:60mA 额定值:- 安装类型:表面贴装 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W（7.00mm x 5.00mm） 高度:0.071"（1.80mm） 封装/外壳:6-SMD，无引线（DFN，LCC） 包装:Digi-Reel® 电流 - 电源（禁用）（最大）:- 其它名称:SER3790DKR |
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