- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录414 > FDA69N25 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDA69N25 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 250V 69A TO-3P |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 产品目录绘图： | MOSFET TO-3P Pkg |
| 标准包装： | 30 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 69A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 41 毫欧 @ 34.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 100nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 4640pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 480W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 供应商设备封装： | TO-3PN |
| 包装： | 管件 |
| 产品目录页面： | 1607 (CN2011-ZH PDF) |
Same Type
V GS
12V
200nF
50K Ω
300nF
as DUT
10V
Q g
V GS
V DS
Q gs
Q gd
DUT
3mA
I G = const .
Charge
Figure 12. Gate Charge Test Circuit & Waveform
GS
10V
R G
V GS
V DS
R L
DUT
V DD
V DS
V GS
90%
10%
t d(on)
t on
t r
t d(off)
t off
t f
Figure 13. Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
BV DSS
E AS = ---- L I AS2 --------------------
BV DSS - V DD
R G
V DS
I D
L
V DD
BV DSS
I AS
1
2
I D (t)
GS GS
10V
t p
DUT
V DD
t p
Time
V DS (t)
Figure 14. Unclamped Inductive Switching Test Circuit & Waveforms
?2006 Fairchild Semiconductor Corporation
FDA69N25 Rev. C1
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDA70N20 | MOSFET N-CH 200V 70A TO-3P |
| FDA8440 | MOSFET N-CH 40V 100A TO-3PN |
| FDB024N06 | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
| FDB029N06 | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
| FDB031N08 | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDA70N20 | 功能描述:MOSFET 200V N-CH U NIFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDA75N28 | 功能描述:MOSFET 280V 75A NCH MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDA79N15 | 功能描述:MOSFET 200V N-CH U NIFET MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDA800001 | 功能描述:OSC 108MHZ 3.3V SMD RoHS:是 类别:晶体和振荡器 >> 振荡器 系列:SaRonix-eCera™ FD 标准包装:1 系列:VG-4512CA 类型:VCXO 频率:153.6MHz 功能:三态（输出启用） 输出:LVPECL 电源电压:3.3V 频率稳定性:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 电流 - 电源（最大）:60mA 额定值:- 安装类型:表面贴装 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W（7.00mm x 5.00mm） 高度:0.071"（1.80mm） 封装/外壳:6-SMD，无引线（DFN，LCC） 包装:Digi-Reel® 电流 - 电源（禁用）（最大）:- 其它名称:SER3790DKR |
| FDA800002 | 功能描述:OSC 108MHZ 1.8V SMD RoHS:是 类别:晶体和振荡器 >> 振荡器 系列:SaRonix-eCera™ FD 标准包装:1 系列:VG-4512CA 类型:VCXO 频率:153.6MHz 功能:三态（输出启用） 输出:LVPECL 电源电压:3.3V 频率稳定性:- 工作温度:-40°C ~ 85°C 电流 - 电源（最大）:60mA 额定值:- 安装类型:表面贴装 尺寸/尺寸:0.276" L x 0.197" W（7.00mm x 5.00mm） 高度:0.071"（1.80mm） 封装/外壳:6-SMD，无引线（DFN，LCC） 包装:Digi-Reel® 电流 - 电源（禁用）（最大）:- 其它名称:SER3790DKR |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。