- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录414 > FDB031N08 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDB031N08 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK |
| 产品目录绘图： | D2PAK, TO-263AB Pkg |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 3.1 毫欧 @ 75A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 220nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 15160pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 375W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB031N08DKR |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
Figure 8. On-Resistance Variation vs.
Temperature
3.0
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
*Notes:
1. V GS = 0V
0.5
*Notes:
1. V GS = 10V
T J , Junction Temperature [ C ]
T J , Junction Temperature [ C ]
0.8
-100
2. I D = 10mA
-50 0 50 100 150 200
o
0.0
-100
2. I D = 75A
-50 0 50 100 150
o
200
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
1000
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
250
100
100 μ s
200
10
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
1ms
10ms
150
100
Limited by package
SINGLE PULSE
100ms
T C = 25 C
T J = 175 C
1
o
o
DC
50
R θ JC = 0.4 C/W
o
T C , Case Temperature [ C]
0.1
0.1
1 10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
100
0
25
50
75 100 125 o
150
175
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
0.5
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
P DM
0.01
0.02
0.01
*Notes:
t 1
t 2
1. Z θ JC (t) = 0.4 C/W Max.
Single pulse
o
2. Duty Factor, D= t 1 /t 2
10
10
10
10
10
10
10
0.001
-5
-4
-3
-2
3. T JM - T C = P DM * Z θ JC (t)
-1 0
1
t 1 , Rectangular Pulse Duration [sec]
Rectangular Pulse Duration [sec]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB031N08 Rev. C4
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB035AN06A0 | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB |
| FDB035N10A | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK |
| FDB039N06 | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK |
| FDB045AN08A0_F085 | MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK |
| FDB045AN08A0 | MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB035AN06_F085 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 80A, 3.5m?? |
| FDB035AN06A0 | 功能描述:MOSFET N-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB035AN06A0 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
| FDB035AN06A0_12 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 80A, 3.5m?? |
| FDB035AN06A0_F085 | 功能描述:MOSFET N-Chan PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。