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参数资料
| 型号： | FDB050AN06A0 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 11/13页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 5 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 80nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 245W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | FDB050AN06A0DKR |
Mechanical Dimensions
TO-220 3L
Figure 2 2 . TO-220, Molded, 3Lead, Jedec Variation AB
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Dimension in Millimeters
? 2003 Fairchild Semiconductor Corporation
FDP050AN06A0 / FDB050AN06A0 Rev. C 2
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www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 0638514000 | T2 TERMINATOR ASSEMBLY |
| HUF75545S3ST | MOSFET N-CH 80V 75A D2PAK |
| 2000158 | TRANSDUCER .5-4.5VDC 10000# PRES |
| 2000202 | TRANSDUCER .5-4.5VDC 250# PRES |
| P51-100-S-B-I36-4.5OVP-000-000 | SENSOR 100PSIS 1/8NPT 4.5V OVP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB050AN06A0_SN00269 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:60V,80A,5MOHM,D2PAK |
| FDB060AN08A0 | 功能描述:MOSFET Discrete Auto N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB070AN06_F085 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:N-Channel PowerTrench?? MOSFET 60V, 80A, 7m?? |
| FDB070AN06A0 | 功能描述:MOSFET N-Channel PT 6V 8A 7mOhm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB070AN06A0 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:MOSFET |
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