- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录414 > FDB3502 (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDB3502 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 75V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 47 毫欧 @ 6A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 15nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 815pF @ 40V |
| 功率 - 最大： | 3.1W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | TO-263AB |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB3502DKR |
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
40
3.0
35
30
25
V GS = 10V
V GS = 9V
V GS = 8V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
2.5
2.0
V GS = 6V
V GS = 7V
V GS = 8V
20
15
V GS = 7V
1.5
V GS = 9V
10
5
0
V GS = 6V
1.0
0.5
V GS = 10V
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
0
1
2
3
4
5
0
5
10 15 20 25
30
35
40
V DS , DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 1. On-Region Characteristics
2.0
I D , DRAIN CURRENT(A)
Figure 2. Normalized On-Resistance
vs Drain Current and Gate Voltage
150
1.8
1.6
1.4
1.2
I D = 6A
V GS = 10V
120
90
60
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
I D = 6A
T J = 125 o C
1.0
0.8
30
T J = 25 o C
0.6
-75
-50
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
5
6
7
8
9
10
T J , JUNCTION TEMPERATURE ( o C )
Figure 3. Normalized On- Resistance
vs Junction Temperature
40
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 4. On-Resistance vs Gate to
Source Voltage
40
PULSE DURATION = 80 μ s
DUTY CYCLE = 0.5%MAX
10
V GS = 0V
30
V DS = 7V
1
T J = 150 o C
T J = 25 o C
20
T J = 150 o C
0.1
10
T J = 25 o C
T J = -55 o C
0.01
T J = -55 o C
0
2
4
6
8
10
0.001
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
V GS , GATE TO SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 5. Transfer Characteristics
V SD , BODY DIODE FORWARD VOLTAGE (V)
Figure 6. Source to Drain Diode
Forward Voltage vs Source Current
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB3502 Rev.C2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB3652_F085 | MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK |
| FDB3672_F085 | MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK |
| FDB3860 | MOSFET N-CH 100V 6.4A D2PAK |
| FDB390N15A | MOSFET N-CH 150V 27A D2PAK |
| FDB44N25TM | MOSFET N-CH 250V 44A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB3502P | 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:35 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDB3504 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| FDB3504P | 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:35 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDB3506 | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述: |
| FDB3506P | 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:35 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。