参数资料
型号: FDB3502
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 5/6页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 75V 6A TO-263AB
标准包装: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 75V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 47 毫欧 @ 6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 815pF @ 40V
功率 - 最大: 3.1W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: TO-263AB
包装: 标准包装
产品目录页面: 1606 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: FDB3502DKR
Typical Characteristics T J = 25°C unless otherwise noted
2
1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
P DM
0.1
0.01
t 1
t 2
R θ JC = 3 C/W
SINGLE PULSE
o
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x Z θ Jc x R θ Jc + T C
10
10
10
10
10
0.01
-5
-4
-3
-2
-1
1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 13. Transient Thermal Response Curve
2
1
0.1
DUTY CYCLE-DESCENDING ORDER
D = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
R θ JA = 62.5 C/W
0.01
SINGLE PULSE
o
( Note 1b )
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
t 1
t 2
PEAK T J = P DM x Z θ JA x R θ JA + T A
10
10
10
10
0.001
-4
-3
-2
-1
1
10
100
1000
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (sec)
Figure 14. Transient Thermal Response Curve
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB3502 Rev.C2
5
www.fairchildsemi.com
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