参数资料
型号: FDB3672_F085
厂商: Fairchild Semiconductor
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 100V 44A D2PAK
产品变化通告: Product Obsolescence 13/Aug/2010
标准包装: 1
系列: PowerTrench®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 44A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 28 毫欧 @ 44A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 31nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1710pF @ 25V
功率 - 最大: 120W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D²PAK
包装: 标准包装
其它名称: FDB3672_F085DKR
SPICE Thermal Model
REV May 2004
FDB3672
CTHERM1 TH 6 3.2e-3
CTHERM2 6 5 3.3e-3
CTHERM3 5 4 3.4e-3
RTHERM1
th
JUNCTION
CTHERM1
CTHERM4 4 3 3.5e-3
CTHERM5 3 2 6.4e-3
CTHERM6 2 TL 1.9e-2
6
RTHERM1 TH 6 5.5e-4
RTHERM2 6 5 5.0e-3
RTHERM3 5 4 4.5e-2
RTHERM4 4 3 10.5e-2
RTHERM2
CTHERM2
RTHERM5 3 2 3.4e-1
RTHERM6 2 TL 3.5e-1
5
SABER Thermal Model
SABER thermal model FDB3672
template thermal_model th tl
thermal_c th, tl
{
cctherm.ctherm1 th 6 =3.2e-3
ctherm.ctherm2 6 5 =3.3e-3
ctherm.ctherm3 5 4 =3.4e-3
ctherm.ctherm4 4 3 =3.5e-3
ctherm.ctherm5 3 2 =6.4e-3
ctherm.ctherm6 2 tl =1.9e-2
rtherm.rtherm1 th 6 =5.5e-4
rtherm.rtherm2 6 5 =5.0e-3
rtherm.rtherm3 5 4 =4.5e-2
rtherm.rtherm4 4 3 =10.5e-2
rtherm.rtherm5 3 2 =3.4e-1
rtherm.rtherm6 2 tl =3.5e-1
RTHERM3
RTHERM4
RTHERM5
4
3
CTHERM3
CTHERM4
CTHERM5
}
2
?2009 Fairchild Semiconductor Corporation
RTHERM6
tl
CASE
CTHERM6
FDB3672_F085 Rev. A
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PDF描述
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