- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录415 > FDB52N20TM (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | FDB52N20TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 52A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 49 毫欧 @ 26A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 63nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 357W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB52N20TMDKR |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. On-Region Characteristics
Figure 2. Transfer Characteristics
10
10
2
Top :
V GS
15.0 V
10.0 V
8.0 V
2
7.0 V
6.5 V
6.0 V
10
1
Bottom : 5.5 V
150 ° C
10
10
0
1
25 ° C
-55 ° C
10
10
10
10
10
-1
-1
0
* Notes :
1. 250 μ s Pulse Test
2. T C = 25 ° C
1
0
2
4
6
8
* Notes :
1. V DS = 40V
2. 250 μ s Pulse Test
10
12
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Figure 3. On-Resistance Variation vs.
Drain Current and Gate Voltage
0.12
0.10
0.08
V GS = 10V
0.06
V GS , Gate-Source Voltage [V]
Figure 4. Body Diode Forward Voltage
Variation vs. Source Current
and Temperatue
2
10
1
150 ℃
0.04
V GS = 20V
25 ℃
0.02
* Note : T J = 25 ° C
* Notes :
1. V GS = 0V
2. 250 μ s Pulse Test
10
0.00
0
25
50
75
100
125
150
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
I D , Drain Current [A]
Figure 5. Capacitance Characteristics
12
V SD , Source-Drain voltage [V]
Figure 6. Gate Charge Characteristics
6000
C iss = C gs + C gd (C ds = shorted)
5000
4000
3000
2000
C oss
C iss
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
* Note ;
10
8
6
4
V DS = 40V
V DS = 100V
V DS = 160V
1000
C rss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
2
* Note : I D = 52A
10
10
10
0
-1
0
1
0
0
10
20
30
40
50
60
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB52N20 Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FDB5800_F085 | MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK |
| FDB6030L | MOSFET N-CH 30V 48A D2PAK |
| FDB6670AL | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
| FDB8132 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
| FDB8160 | MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB5645 | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB5680 | 功能描述:MOSFET USE 512-FDB20AN06A0 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB5686 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:60V N-Channel PowerTrench⑩ MOSFET |
| FDB5690 | 功能描述:MOSFET 60V N-Channel Power Trench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB5800 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch Logic PowerTrench MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。