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参数资料
| 型号： | FDB52N20TM |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 52A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | UniFET™ |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 52A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 49 毫欧 @ 26A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 63nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2900pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 357W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB52N20TMDKR |
Typical Performance Characteristics (Continued)
Figure 7. Breakdown Voltage Variation
vs. Temperature
1.2
3.0
Figure 8. On-Resistance Variation
vs. Temperature
2.5
1.1
2.0
1.0
1.5
1.0
0.9
* Notes :
1. V GS = 0 V
2. I D = 250 μ A
0.5
* Notes :
1. V GS = 10 V
2. I D = 26 A
0.8
-100
-50
0
50
100
150
200
0.0
-100
-50
0
50
100
150
200
10
T J , Junction Temperature [ ° C]
Figure 9. Maximum Safe Operating Area
3
10 μ s
60
T J , Junction Temperature [ ° C]
Figure 10. Maximum Drain Current
vs. Case Temperature
10
10
10
10
2
1
0
-1
Operation in This Area
is Limited by R DS(on)
100 μ s
1 ms
10 ms
100 ms
DC
* Notes :
1. T C = 25 ° C
2. T J = 150 ° C
3. Single Pulse
50
40
30
20
10
10
10
10
10
-2
0
1
2
0
25
50
75
100
125
150
V DS , Drain-Source Voltage [V]
T C , Case Temperature [ ° C]
Figure 11. Transient Thermal Response Curve
D = 0 .5
10
-1
0 .2
0 .1
* N o te s :
10
-2
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
s in g le p u ls e
1 . Z θ J C (t) = 0 .3 5 ° C /W M a x.
2 . D u ty F a c to r, D = t 1 /t 2
3 . T J M - T C = P D M * Z θ J C (t)
P DM
t 1
t 2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t 1 , S q u a re W a v e P u ls e D u ra tio n [s e c ]
?2008 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB52N20 Rev. C2
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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