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参数资料
| 型号： | FDB5800 |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | PowerTrench® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 80A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 6 毫欧 @ 80A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 135nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 6625pF @ 15V |
| 功率 - 最大： | 242W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装： | D²PAK |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1606 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | FDB5800DKR |
Typical Characteristics T C = 25°C unless otherwise noted
1.2
1.0
0.8
140
120
100
80
CURRENT LIMITED
BY PACKAGE
VGS =10V
0.6
60
0.4
40
VGS = 5V
0.2
20
R θ JC = 0.62°C/W
0
0
25
50
75
100
125
150
175
0
25
50
75
100
125
150
T C , CASE TEMPERATURE
( o C)
T C , CASE TEMPERATURE (°C)
Figure 1. Normalized Power Dissipation vs Case
Temperature
2
Figure 2. Maximum Continuous Drain Current vs
Case Temperature
1
DUTY CYCLE - DESCENDING ORDE R
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
P DM
0.1
t 1
t 2
0.01
SINGLE PULSE
NOTES:
DUTY FACTOR: D = t 1 /t 2
PEAK T J = P DM x R θ JC + T C
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Figure 3. Normalized Maximum Transient Thermal Impedance
1000
TRANSCONDUCTANCE
MAY LIMIT CURRENT
IN THIS REGION
T C = 25 o C
FOR TEMPERATURES
ABOVE 25 o C DERATE PEAK
CURRENT AS FOLLOWS:
100
V GS = 5V
I = I 25
175 - T C
150
50
10 -5
10 -4
10 -3
10 -2
10 -1
10 0
10 1
t, PULSE WIDTH (s)
Figure 4. Peak Current Capability
?200 5 Fairchild Semiconductor Corporation
FDB5800 Rev. C2
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 90HBJ04RT | SWITCH 4POS DIP J-LEAD SMD |
| 564-0100-999F | LED 3MM TRI-LEVEL HI-EFF BLUE |
| DS10 | STANDARD DIP SWITCH |
| 76RSB02LT | SWITCH DIP RECESS RCKR 2POS |
| A6SN-5101 | SWITCH DIP 5POS FLUSH ACT SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| FDB5800_F085 | 功能描述:MOSFET 60V N-Ch PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| FDB600 | 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDB601 | 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDB602 | 制造商:DEC 制造商全称:DEC 功能描述:6 AMP FAST RECOVERY BRIDGE RECTIFIERS |
| FDB6021P | 功能描述:MOSFET P-Channel PowerTrench RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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